Electrostatic force microscopy (EFM) was used to directly probe surface potential in doped barium titanate semiconducting ceramics. EFM measurements were performed using noncontact scans at a constant tip-sample separation of 75 nm with varied bias voltages applied to the sample. The applied voltage was mapped up to 10 V and the distribution of potential across the sample showed changes in regions that matched the grain boundaries, displaying a constant barrier width of 145.2 nm.
A microscopia de força eletrostática (EFM) foi usada para sondagem direta do potencial na superfície do titanato de bário dopado, o qual é cerâmica semicondutora. As medidas de EFM foram realizadas no modo não contato, mantendo a distância ponta-amostra de 75 nm constante, mas variando a voltagem bias aplicada à amostra de zero a 10 V. A distribuição do potencial na amostra mostrou mudanças em regiões próximas ao contorno de grão, exibindo largura de barreira constante de 145,2 nm.