Fabricación de guías de onda ópticas en silicio utilizando óxido de silicio y nitruro de silicio

Abstract

Resumen Se diseñaron y fabricaron guías de onda ópticas planares de índice abrupto utilizando películas de óxido de silicio (SiO2) y nitruro de silicio (Si3N4) obtenidas por técnica PECVD. Debido a las características ópticas, mecánicas y eléctricas, se eligió el silicio como material de sustrato. Pruebas de transmitancia de luz a una longitud de onda de 650 nm fueron realizadas con éxito. La fabricación de guías ópticas es completamente compatible con el proceso CMOS, por lo que se abre la posibilidad de realizar la integración de componentes ópticos y electrónicos en un mismo substrato de silicio.

Translated abstract

Abstract Planar optical waveguides of abrupt index refraction, using oxide silicon (SiO2) and silicon nitride (Si3N4) films obtained by means of PECVD technique were designed and realized. Optical, mechanicals and electrics characteristics were considered to selected silicon as substrate material. Testing of transmittance for a wavelength of 650 nm was successfully realized. The proposed optical waveguides are fully compatible with the CMOS fabrication process of the INAOE’s laboratory. Obtained results allows the integration of optical and electronics devices in a shared silicon substrate.